双向可控硅模块十大使用规则
可控硅模块,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管模块。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一,接下来就由昆二晶可控硅模块小编为大家介绍双向可控硅模块十大使用规则。
1、为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL ,这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。
2、要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
3、设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3 象限(WT2-,+)。
4、为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低,返回线直接连至 MT1(或阴极),若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线,门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小,高频旁路电容和门极间串接电阻;另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。
5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路,若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几 mH的电感和负载串联;另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。
6、假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。
7、选用好的门极触发电路,避开 3 象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
8、若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻;另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。
9、器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力,固定,然后焊接引线,不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
10、为了长期可靠工作,应保证 Rth j-a足够低,维持 Tj不高于 Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
昆二晶双向可控硅模块真专家,为了您满意,我们真的走心了。若对我们的双向可控硅模块有兴趣或存在疑惑,昆二晶欢迎您咨询,咨询电话:0577-62627555!
1、为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL ,这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。
2、要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
4、为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低,返回线直接连至 MT1(或阴极),若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线,门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小,高频旁路电容和门极间串接电阻;另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。
5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路,若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几 mH的电感和负载串联;另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。
6、假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。
7、选用好的门极触发电路,避开 3 象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
8、若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻;另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。
9、器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力,固定,然后焊接引线,不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
10、为了长期可靠工作,应保证 Rth j-a足够低,维持 Tj不高于 Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
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