双向可控硅模块通常被称之为功率半导体模块，当可控硅损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，下面昆二晶小编教你4个小妙招，让你快速判别双向可控硅模块损坏原因。
         1、电压击穿，双向可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见，其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
         2、电流损坏，电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。
         3、电流上升率损坏，其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。
         4、边缘损坏，他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔，用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕，它导致电压击穿。

         关于判别双向可控硅模块损坏原因的相关介绍，文中已经讲解的比较清楚了，大家可以大体了解一下，希望对您有所帮助，如果还有什么疑问请继续关注我们的网站。
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