很多企业一直不了解可控硅模块的利用价值，尤其是当可控硅模块损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
         1、电压击穿。可控硅模块因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
         2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。

         3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。
         4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
         以上4种原因都是可控硅模块的常见损坏原因，遇到可控硅损坏事件，应冷静分析。更多有关可控硅知识请登录昆二晶官网。
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