当可控硅模块损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
       1、电压击穿：可控硅模块因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

       2、过电流损坏：可控硅模块电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。
       3、电流上升率损坏：可控硅模块其痕迹与电流损坏相似，而其位置在控制极附近或就在控制极上。更多有关可控硅知识欢迎登录昆二晶官网。
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