微触发（高灵敏度）单向可控硅模块一个重要的特性是使用时需要的门极触发信号很小，一般它的触发电流IGT≤150uA，但触发电流随温度变化而发生变化，高温时触发电流变小，80℃时只有常温（25℃）时的0.1-0.2倍，可控硅模块容易受干扰而误触发；而低温时触发电流变大，-40℃的触发电流是常温（25℃）时的8-9倍，可控硅模块不易触发。
       因此在设计单向可控硅模块触发电路时，只要有可能，尽量采用触发电流大的产品，在门极和阴极间并联1KΩ电阻，以防止单向可控硅受干扰而误导通。但同时必须考虑可能遇到的最低温度，在最低温度触发电路的驱动电流是否能够满足单向可控硅模块因低温触发电流变大后的导通条件。

       所以，目前大多数客户实际控制的使用温度(壳温)范围一般在-20℃～80℃，对于触发电流的要求是：IGT(80℃)/IGT(25℃)≥0.3以及IGT(-20℃)/IGT（25℃）≤4.5
       正是因为单向可控硅模块的温度特性差，限制了使用者使用单向可控硅模块的温度范围，同时也限制了选择单向可控硅模块触发电流的范围。因此，一般客户选项择触发电流中间范围的30-70uA以适应高低温环境变化的应用要求。
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