可控硅模块导通瞬间，电流上升率di/dt很大，当电流还来不及扩大到可控硅模块内部结的全部面积时，门极附近已出现局部过热而造成的损坏。电路中的电容量越大，di/dt也就越大。为此，在整流或者逆变电路中都要考虑限制di/dt的问题。
        整流电路中如有变压器，其漏感虽对di/dt有一定的限制作用，但若变压器二次侧所接的RC吸收电路阻抗值过小或元件相并联时，晶闸管（可控硅）仍有可能在换流期间因di/dt过大而损坏。为此可在每只晶闸管（可控硅）元件上串入电感L，以限制di/dt＜10A/μs。
        限制电感L的选择：
        1、一般电路：
        L=U2m/10（μH）
        式中：U2m—加于可控硅模块正向电压峰值，即变压器二次电压峰值（V）。

        2、逆变电路：
        50A以上的可控硅模块，L最好采用饱和电抗器，使限流电感在小电流时可限制di/dt＜10A/μs，而在最大电流时，铁心饱和，其电感量能满足在关闭可控硅正向电流到零后，可在2μs内使反向电流等于正向电流幅值。饱和电抗器的电感量为
        最大电流时 L=U2m/IT(μH)
        最小电流时L=U2m/10(μH)
        式中：IT—晶闸管通态平均电流（A）
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