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可控硅模块的主要参数

来源:昆二晶发布日期:2018-07-22关注:-
       近年来,许多新型可控硅模块元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。那可控硅的主要参数你知道吗?现在就由可控硅厂家昆二晶为您讲解。

可控硅模块


       可控硅模块的主要参数有:
       1、 可控硅模块额定通态平均电流it在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
       2、 正向阻断峰值电压vpf 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
       3、 反向阴断峰值电压vpr当可控硅模块加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。
       4、 控制极触发电流ig1 、触发电压vgt在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅模块从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
       5、 维持电流ih在规定温度下,控制极断路,维持可控硅模块导通所必需的最小阳极正向电流。
       昆二晶可控硅模块真专家,为了您满意,我们真的走心了。若对我们的可控硅模块有兴趣或存在疑惑,昆二晶欢迎您咨询,咨询电话:0577-62627555

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