可控硅模块的频域测试是对干扰噪声的抑制能力用插入损耗来进行衡量的，在使用可控硅模块时，考虑最多的是额定电压及电流值、耐压性能、漏电流三项，一起来了解一下吧：
        1、插入损耗的标准测试，在标准测量法中规定，在50Ω～75Ω之间的任一阻值的系统内测试可控硅模块的插入损耗特性；
        2、可控硅模块的时域测试，对于可控硅模块的EMI信号线滤波器，由于传输线本身就会产生一定的电磁干扰，所以测试信号必然会产生一定的衰减；

        3、插入损耗的加载测试，由于使用不合适的材料，可控硅模块的共模扼流圈不可能保证完全对称会导致磁环的饱和，同时寄生差模电感也可能产生磁环的饱和。
        随着可控硅模块测试的工作量急剧增加，对测试设备在功能、性能、测试速度、测试准确度等方面的要求也日益提高，希望能够对您有所帮助。
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