可控硅模块，全称可控硅整流元件，以下是对可控硅模块的结构介绍。
        可控硅模块是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是以一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
        以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为可控硅模块的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称 晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅模块SCR.
        在性能上，可控硅模块不仅具有 单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
        可控硅模块能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用.

        可控硅模块的优点很多，例如：以小 功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无 噪音；效率高，成本低等等.
        可控硅模块的弱点：静态及动态的 过载能力较差；容易受干扰而误导通.
        可控硅模块从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形.
        可控硅模块元件的结构：
        不管可控硅模块的外形如何，可控硅的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构，有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以可控硅模块是一种四层三端的半导体器件.
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