随着电子元器件行业的不断发展，现如今很多人对可控硅模块已经很了解了，那么可控硅模块元件中参数的符号都代表了哪些意义呢？下面由可控硅模块厂家昆二晶为大家一一介绍：
        ①可控硅模块断态电压临界上升率dv/dt：在额定结温和门极断路时，使元件从断态转入通态的最低电压上升率。
        ②可控硅模块门极触发电流IGT：在室温下，主电压为6伏直流电压时，使元件完全开通所必须的最小门极直流电流。
        ③可控硅模块断态重复峰值电压VDRM：为不重复断态峰值电压的90％。

        ④可控硅模块门极触发电压VGT：对应于门极触发电流时的门极直流电压。
        ⑤可控硅模块断态重复平均电流IDR：对应于断态重复峰值电压下的平均漏电流。
        ⑥可控硅模块断态不重复峰值电压VDSM：门极断路时，在正向伏安特性曲线急剧弯曲处的断态峰值电压。
        ⑦可控硅模块断态不重复平均电流IDS：门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
        ⑧可控硅模块通态平均电流IT：在环境温度为+40℃和规定冷却条件下，元件在电阻性负载的单相工频正弦半波，导通角不小于170度的电路中，当结温稳定并不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流。采购晶闸管欢迎访问昆二晶官网。
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