晶闸管模块是一种电流控制型的双极型半导体器件，它求门极驱动单元类似于一个电流源，能向晶闸管模块的门极提供一个特别陡直的尖峰电流脉冲，以保证在任何时刻均能可靠触发晶闸管模块。晶闸管模块的门极触发脉冲特性对晶闸管的额定值和特性参数有非常强烈的影响。我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值IG大于或等于10IGT；脉冲上升时间tr≤1μs。为了保证器件可靠工作，IG必须远大于IGT。
       但在实际应用中，许多用户触发脉冲电流幅值和脉冲上升时间远未能满足上述要求。尤其在电机软启动领域，许多整机厂给出的触发脉冲非常临界，某些情况下竟无法让元件开通。在中频电源领域，逆变器件的触发脉冲一般陡度较差。针对不同门极触发条件对晶闸管模块开通特性的影响问题，我们进行了一系列的模拟试验。
       1．一般要求：
       鉴于晶闸管模块的门极触发脉冲特性对晶闸管开通过程的影响。好的触发脉冲可以使器件的开通时间缩短、开通损耗减小、器件耐受di/dt的能力增强。用户应用中应采用强触发方式；
       触发脉冲电流幅值：IG=10IGT；
       脉冲上升时间：tr≤1ms；
       门极脉冲宽度大于50微秒;
       为了保证器件可靠工作，IG必须远大于IGT。
       2．高di/dt下运用：
       器件在高di/dt下运用时，特别是当晶闸管模块的阻断电压很高时，在开通过程中门-阴间横向电阻所产生的电压可能会超过门极电压，严重时，甚至会使门极电流倒流。这种负的门极电流会引起开通损耗增加或器件因di/dt损坏。可能会导致器件高di/dt损坏。
       如果一只Y50KKE器件在VG10V，di/dt1200A/μs条件下的IG波形。可见在器件开通1ms后，出现了门极电流倒流的现象。

       因此，我们要求在高di/dt下运用时，门极触发电源电压VG不低于20V，或在门极线路上串联二极管，防止门极电流倒流。
       3．晶闸管模块串并联使用
       晶闸管模块的串联：晶闸管串联管应用时，要求其相互串联的每个晶闸管模块应尽可能地一致开通，这是因为较慢开通的器件可能承受过电压，这就要求同组相串联的晶闸管模块之间有最小的门极开通延迟时间偏差Δtd，而强的门极触发脉冲能使这个延迟时间偏差Δtd降到最小。
       晶闸管模块的并联：陡而强的门极触发脉冲能使并联晶闸管模块开通特性的不平衡降至最小，从而使有最佳的均流效果。
       在晶闸管模块串并联使用时，要求：
       IGM≈1-3A
       diG/dt≥1A/ms
       tr≤1ms
       tp(IGM)=5-20ms
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