晶闸管模块和IGBT都是功率半导体器件。晶闸管模块和IGBT的阻断高压的能力主要取决于器件结构中特定PN结的反偏击穿电压。在功率器件中反偏PN结击穿电压往往又受到PN结终结处表面特性或外界气氛影响，提前出现击穿现象。而晶闸管模块和IGBT的终结端就是为了避免此现象发生而专门设计的特殊结构。结终端结构可分为截断型和延伸型两大类。

        晶闸管模块的硅片边缘表面造型、腐蚀、表面钝化等设计和工艺就是为了减小表面电场，阻断外界干扰，这是截断型的通常做法。
        IGBT和晶闸管模块不同的是用的是平面工艺，结终端是延伸型。在主结边缘处设置一些延伸结构，起到主结耗尽区向外扩展作用，从而降低其内的电场强度，避免提前击穿发生。
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