可控硅模块作为一种常见的电路控制方案，在很多电路中为开发者们所熟知。可控硅模块虽然性能优越，但在某些时候其也会出现失控的情况，开发者必须提前掌握能够造成可控硅模块失控的情况来针对电路进行保护。本文就将针对可控硅失控的情况进行分析，并总结成三个原因。
       一、可控硅模块的正向阻断力降低
       首先来看第一个造成可控硅元件失去控制的原因，那就是可控硅的正向阻断力降低。在平时的应用中，如果可控硅长时间不用，而同时又因为密封不好的缘故受潮，那么可控硅元件正向阻断能力是很轻易降低的，可控硅元件的正向阻断能力降低到低于整流变压器的二次电压，硅元件就不要等触发脉冲到来就会自然的导通，导致脉冲控制不会起作用，输出的电压波形是1个正半波，使得励磁电压提升。

       二、维持电流过小
       导致可控硅元件失控的第二个常见原因是电路中的维持电流过小，由于发电机转子是以电感为主的大电流负载，对于半控桥来讲，电压过零以后，电流不是零，即使半控桥在电感负载侧设有续流管，不过要是续流管的管压降高于导通的可控硅元件的管压降，电感上的电流除了大部分从续流管流过外，仍有部分电流在原导通的可控硅模块上流过。这个电流虽然是衰减的，但是在外加电压整个负半周，电流仍未能减到小于维持电流，到下1个正半周到来时，该硅元件就不需要等触发脉冲到来就继续导通。如此连续下去，一相可控硅模块连续导通，同样会因输出大电流而造成误强励。
       三、触发器丢脉冲
       触发器丢脉冲是第三个造成可控硅元件失去控制的重要原因，在电路系统正常运行的前提下，如果三相脉冲正常，即使维持电流很小可控硅元件也可以确保正常换相，不会出现失控的情况，而一旦出现了丢脉冲的情况，则可控硅模块就不可以确保正常换相，元件本身也一定会失控。
       在电路设计中可控硅失控情况的因素大多数是由这三种情况引起的。针对正向阻断力降低，需要重视电路的密封程度，而对于维持电流过小则需要开发者持续关注大电流。丢脉冲现象需要开发者保持可控硅的正常换相，只要针对以上三点进行注意，相信大家都能较为容易的控制可控硅模块的失控现象。更多有关可控硅知识欢迎访问昆二晶官网。
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