单向可控硅的导通条件：
         1、单向可控硅处于规定的温度范围内，一般-10℃到60℃；
         2、单向可控硅阳极和阴极之间施加了正向电压，且电压幅值至少应超过0.7V；
         3、门极与阴极之间施加正向电压，电压幅值应超过触发门槛电压，必须大于0.3V，一般为3~10V；
         4、单向可控硅导通电流，至少应大于其擎住电流，一般是维持电流的2倍左右；
         5、门极电压施加的时间，必须超过开通时间，一般应超过6μs。

         单向可控硅的阻断条件：
         1、单向可控硅处于规定的温度范围内，一般-10℃到60℃；
         2、流过单向可控硅的电流，必须小于维持电流；
         3、流过单向可控硅的电流保持为零的时间，必须小于其关断时间；
         昆二晶单向可控硅真专家，为了您满意，我们真的走心了。若对我们的单向可控硅有兴趣或存在疑惑，昆二晶欢迎您咨询，咨询电话：0577-62627555！