（一）半导体可控硅模块集成电路的发展过程
         1.电工线路（电阻器?电感线圈?电容器等元器件組成,不包括半导体元器件） 
         2.半导体线路（电路中包括了二极管?晶体管和可控硅管等半导体器件）
         3.分立元器件电路
         4.半导体集成电路
         定义：把可控硅模块?电容和半导体器件集中制作在同一半导体基片上,並在内部实现互连的电路?小规模集成电路(SSI)-中规模集成电路(MSI)-大规模集成电路(LSI)-超大规模集成电路(VLSI)
        （二）半导体可控硅模块的特性:
         ①导电性能介于导体和绝缘体之间；
         ②当半导体受到外界光和热的刺激時，其导电能力将发生显著的变化；
         ③在纯浄的半导体中加入微量的杂质，导电能力会有显著増加。

         特性形成:
         ①半导体的原子结构和共价键
         ②本征半导体的导电作用，就是完全純浄的?结构完整的半导体晶体?
         ③杂质半导体的导电作用
         2.可控硅模块PN結的形成和特性
         P型?N型半导体交界处电子和空穴存在浓度差
         PN结的特性――単向导电性
         正向PN結表现为一个很小的电阻-正向电流 I随外加PN結电压显著変化
         反向PN結表现为一个很大的电阻-反向电流 I’很小?为饱和电流
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